近日，我公司自主开发的沟槽栅-场终止型1200V 50A  IGBT芯片，在中科院电工所进行了第三方的权威比对检测。检测数据显示，该芯片的电性能特征与德国英飞凌公司主流应用的T系列IGBT芯片的电性能特征相近，整体性能基本持平。

        我公司已经对该芯片的结构申请了相关发明专利。