8月17日下午，我司技术副总贺东晓牵头，应用技术总监陈正令组织，召开了主题为“IGBT的使用以及各品牌IGBT设计比较”的内部技术研讨会。此次研讨会，研发工程师、技术工程师、品质主管、生产经理等共12人参会。研讨会围绕“IGBT使用中电的变化以及各品牌模块设计的优缺点”的目的进行了深入的交流与探讨。

▲贺总在会场讲解

本次研讨会，由陈工主持，贺总、陈工主讲，会议主要就以下三方面内容进行交流：

1、 IGBT模块的使用及其过程变化：重点讨论电流变化和强、弱电以及模块内部芯片以及FRD芯片的功能；

2、 IGBT模块不同品牌同一型号的比较：会议分别就4个品牌同型号模块内部涉及布局进行分析、讨论；比对我司产品的优点及需要改进提升的点，对其他品牌的优点进行讲解、观摩、学习和吸收，同时规避其弱点，在未来的开发和设计中不断提升我司产品可靠性设计和制作工艺水平。

3、 电知识的加强学习：对参会人员进行电相关的知识点讲解，以及干扰、散热等相关理论知识要点的学习。

经过探讨与交流，与会人员学习、加强了相关专业知识的理解与认知，主要集中在以下几点：

1、 对电知识的进一步理解与明确：IGBT模块是集合交流电、直流电、弱驱动信号于一体的半导体器件，此三种不同电的理解、工作原理有明确的认知和实践应用；

2、 IGBT模块内部芯片及FRD作用的了解与剖析；

3、 对IGBT设计布局中的理解：对干扰项、发热项有更清晰的理解；对交流电、直流电、以及控制信号线走向及其分布有更深刻的理解；

                                                           ▲参会人员认真学习

   本次技术交流经过两个小时的激烈讨论，大家开诚布公，畅所欲言，从各自所在岗位和视角，结合客户端的实践反馈，进行了较为全面深入的沟通。在对未来研发设计、制作工艺、品质管理，测试应用等方面均有不同的帮助和提高，同时也扩充了一线工程师的理论知识面和对我司产品的深度了解。融会贯通并应用在以后的工作中。本次研讨会的目标是工程师岗位对IGBT性能和应用的全方位了解与掌握，能够对违反设计规则、不合理设计工艺做出清晰判断，争取做到所在岗位既是产品的主管的责任方也是产品的巡检方，应用所掌握的知识，思考和加强对产品瑕疵判断的准确度，树立全员产品质量为先的意识，助力我司产品良率再攀新高。