特性：
VCE=1200V,IC=300A
低导通压降
采用沟槽截止第七代IGBT工艺
导通压降为正温度系数
最大结温达175℃
绝缘型封装
应用：
电机驱动逆变器
交直流伺服驱动放大器
不间断电源UPS
