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LEGM25BE120E1H7_B
LEGM25BE120E1H7_B
特性：
V
CE
=1200V,I
C
=25A
低导通压降
采用沟槽截止第七代IGBT工艺
导通压降为正温度系数
最大结温达
175℃
绝缘型封装
应用：
逆变器
电机控制与驱动
LEGM25BE120E1H7_B
