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LEGM15TF120E1H7
LEGM15TF120E1H7
特性：
V
CE
=1200V,I
C
=15A
低导通压降
采用微沟槽栅场截止第七代IGBT工艺
导通压降为正温度系数
T
vjmax
=175℃
绝缘型封装
应用：
辅助逆变器
空调系统
电机驱动
LEGM15TF120E1H7
