特性：

1200V/25A沟槽场截止型IGBT

最高1200V高击穿电压，器件可靠性大幅提升

沟槽场截止工艺带来如下优势：

• 低饱和压降

• 参数一致性好

• 短路耐受时长可达10微秒

• 抗冲击能力强、温度特性稳定

• V_CE(sat)具备正温度系数，可轻松并联均流

增强型雪崩耐受能力

应用

电机驱动逆变器

交直流伺服驱动放大器

不间断电源UPS