特性：
650V/40A沟槽场截止型IGBT
最高650V高击穿电压，器件可靠性大幅提升
沟槽场截止工艺带来如下优势：
低饱和压降
高速开关特性
开关损耗低
高抗冲击耐受度、温度特性稳定
VCE(sat)具备正温度系数，可轻松并联均流
适用于高频开关变换器
应用：
软开关拓扑电路
空调变频系统
电机驱动逆变器
