特性：

1200V/15A 沟槽栅场终止型IGBT

最高耐压可达1200V，提升器件可靠性

沟槽栅场终止工艺具备以下优势：

• 低饱和压降

• 器件参数一致性好

• 短路耐受时长可达10微秒

• 抗冲击性能优异、温度稳定好

• V_CE(sat)具备正温度系数，可轻松实现多管并联均流使用

雪崩耐受能力优化提升

应用：

不间断电源（UPS）

通用变频设备