产品特性：

650V/15A 沟槽型场截止IGBT

最高650V高击穿电压，器件可靠性更优

沟槽场截止工艺，具备以下优势：

• 低导通压降

• 高速开关特性

• 低开关损耗

• 高抗冲击耐受度、温度稳定性

• V_CE(sat)具备正温度系数，可轻松实现多管并联均流

适用于高频开关变换器

应用：

软开关拓扑电路

空调变频系统

电机驱动逆变器