特性：

1200V/25A沟槽栅场终止型IGBT 

最高耐压可达1200V，器件可靠性大幅提升

沟槽栅场终止工艺具备以下优势：

• 低导通压降

• 器件参数一致性高

• 短路耐受时间 可达10μs

• 高坚固性、温度稳定性

•  V_CE（sat）具备正温度系数，可轻松实现多管并联均流

增强型雪崩保护能力

应用：

不间断电源（UPS）

变频器