特性：
650V/25A沟槽栅场终止型 IGBT
额定击穿电压高达650V，显著提升可靠性
沟槽栅场终止工艺具备以下优势：
低导通压降
开关速度快
低开关损耗
高坚固性、温度稳定性
VCE（sat）具备正温度系数，可轻松实现多管并联均流
支持高开关频率
应用：
软开关应用
空调系统
电机驱动逆变器
